Все постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) можно разделить на следующие группы:

● программируемые при изготовлении (обозначают как ПЗУ или ROM);

● с однократным программированием, позволяющим пользователю однократно изменить состояние матрицы памяти электрическим путем по заданной программе (обозначают как ППЗУ или PROM);

● перепрограммируемые (репрограммируемые), с возможностью многократного электрического перепрограммирования, с электрическим или ультрафиолетовым стиранием информации (обозначают как РПЗУ или RPROM).

Для обеспечения возможности объединения по выходу при наращивании памяти все ПЗУ имеют выходы с тремя состояниями или открытые коллекторные выходы.

{xtypo_quote}В ППЗУ накопитель построен на запоминающих ячейках с плавкими перемычками, изготовленными из нихрома или других тугоплавких материалов. Процесс записи состоит в избирательном пережигании плавких перемычек. {/xtypo_quote}
В РПЗУ запоминающие ячейки строятся на основе МОП-технологий. Используются различные физические явления хранения заряда на границе между двумя различными диэлектрическими средами или проводящей и диэлектрической средой.

В первом случае диэлектрик под затвором МОП-транзистора делают из двух слоев: нитрида кремния и двуокиси кремния (SiN 4 — SiO 2). Было обнаружено, что в сложной структуре SiN 4 — SiO 2 при изменении электрического напряжения возникает гистерезис заряда на границе раздела двух слоев, что и позволяет создавать запоминающие ячейки.

Во втором случае основой запоминающей ячейки является лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором (ЛИПЗ МОП). Упрощенная структура такого транзистора приведена на рис. 3.77.
В лавинно-инжекционном транзисторе с плавающим затвором при достаточно большом напряжении на стоке происходит обратимый лавинный пробой диэлектрика, и в область плавающего затвора инжектируются носители заряда. Поскольку плавающий затвор окружен диэлектриком, то ток утечки мал и хранение информации обеспечивается в течение длительного промежутка времени (десятки лет). При подаче напряжения на основной затвор происходит рассасывание заряда за счет туннельного эффекта, т.е. стирание информации.

Приведем некоторые характеристики ПЗУ (табл. 3.1).

Промышленность выпускает большое количество микросхем ПЗУ. Приведем в качестве примера две микросхемы ПЗУ (рис. 3.78).

На схемах использованы следующие обозначения: A i — адресные входы; D i — информационные выходы; CS — выбор микросхемы; СЕ — разрешение выхода.

Микросхема К573РФ5 — это репрограммируемое ПЗУ (РПЗУ) с ультрафиолетовым стиранием, имеющее структуру 2Кх8. По входу и выходу эта микросхема совместима с ТТЛ-структурами. Микросхема К556РТ5 — это однократно программируемая ПЗУ, выполнена на основе ТТЛШ-структур, по входу и выходу совместима с ТТЛ-структурами, имеющая структуру 512бит х8.

Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) – ЗУ, предназначенное для хранения неизменяемой информации (программ, констант, табличных функций). В процессе решения задач ПЗУ допускает только чтение информации. В качестве характерного примера применения ПЗУ можно указать БИС ПЗУ, используемые в РС для хранения BIOS (Basic Input Output System – базовой системы ввода-вывода).

В общем случае накопитель ПЗУ (массив его запоминающих ячеек) емкостью ЕПЗУ слов, длиною в r + 1 разрядов каждое, обычно представляет собой систему из ЕПЗУ горизонтальных (адресных) и r + 1 вертикальных (разрядных) проводников, которые в точках пересечения могут быть соединены элементами связи (рис. 1.46). Элементы связи (ЭС) – это плавкие вставки или p -n -переходы. Наличие элемента связи между j -м горизонтальным и i -м вертикальным проводниками означает, что в i -м разряде ячейки памяти номер j записана единица, отсутствие ЭС означает, что здесь записан нуль. Запись слова в ячейку номер j ПЗУ производится должной расстановкой элементов связи между разрядными проводниками и адресным проводом номер j . Чтение слова из ячейки номер j ПЗУ происходит так.

Рис. 1.46. Накопитель ПЗУ емкостью ЕПЗУ слов, длиною в r + 1 разрядов каждое

Код адреса A = j дешифрируется, и на горизонтальный проводник номер j накопителя подается напряжение от источника питания. Те из разрядных проводников, которые соединены с выбранным адресным проводником элементами связи, оказываются под напряжением U 1 уровня единицы, остальные разрядные проводники остаются под напряжением U 0 уровня нуля. Совокупность сигналов U 0 и U 1 на разрядных проводниках и образует содержимое ЯП номер j , а именно слово по адресу А .

В настоящее время ПЗУ строят из БИС ПЗУ, у которых используются полупроводниковые ЭС. БИС ПЗУ принято делить на три класса:

– масочные (МПЗУ);

– программируемые (ППЗУ);

– репрограммируемые (РПЗУ).

Масочные ПЗУ (ROM – от Read Only Memory) – ПЗУ, информация в которые записывается с фотошаблона в процессе выращивания кристалла. Например, БИС ПЗУ 555РЕ4 емкостью 2 кбайта представляет собою генератор символов по коду КОИ-8. Достоинством масочных ПЗУ является их высокая надежность, а недостатком – низкая технологичность.

Программируемые ПЗУ (PROM – Programmable ROM) – ПЗУ, информация в которые записывается пользователем при помощи специальных устройств – программаторов. Данные БИС изготавливаются с полным набором ЭС во всех точках пересечения адресных и разрядных проводников. Это повышает технологичность таких БИС, а значит, и массовость в производстве и применении. Запись (программирование) информации в ППЗУ производится пользователем по месту их применения. Делается это путем выжигания элементов связи в тех точках, в которых должны быть записаны нули. Укажем, например, на ТТЛШ-БИС ППЗУ 556РТ5 емкостью 0,5 кбайт. Надежность БИС ППЗУ ниже, чем у масочных БИС. Перед программированием их необходимо тестировать на наличие ЭС.

В МПЗУ и ППЗУ невозможно изменять содержимое их ЯП. Репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ) допускают многократную смену хранимой в них информации. Фактически РПЗУ – это ОЗУ, у которых t ЗП>>t ЧТ. Замена содержимого РПЗУ начинается со стирания хранившейся в нем информации. Выпускаются РПЗУ с электрическим (EЕPROM) и ультрафиолетовым (UVEPROM) стиранием информации. Например, БИС РПЗУ с электрическим стиранием КМ1609РР2А емкостью 8 кбайт может перепрограммироваться не менее 104 раз, хранит информацию не менее 15000 ч (около двух лет) во включенном состоянии и не менее 10 лет – в выключенном. БИС РПЗУ с ультрафиолетовым стиранием К573РФ4А емкостью 8 кбайт допускает не менее 25 циклов перезаписи, хранит информацию во включенном состоянии не менее 25000 ч, а в выключенном – не менее 100000 ч.

Основное назначение РПЗУ – использование их вместо ПЗУ в системах разработки и отладки программного обеспечения, микропроцессорных системах и других, когда приходится время от времени вносить изменения в программы.

Работу ПЗУ можно рассматривать как однозначное преобразование N -разрядного кода адреса А в n -разрядный код считываемого из него слова, т.е. ПЗУ является преобразователем кода (цифровым автоматом без памяти).

На рис. 1.47 показано ус­ловное изображение ПЗУ на схемах.

Рис. 1.47. Условное изображении ПЗУ

Функциональная схе­ма ПЗУ приведена на рис. 1.48.

Рис. 1.48. Функциональная схема ПЗУ

По принятой в среде специалистов по запоми­нающим устройствам терминологии входной код называется адресом, 2n вертикальных шин – числовыми линейками, m выходов – разрядами храни-мого слова. При поступлении на вход ПЗУ любого двоичного кода всегда выбирается одна из числовых линеек. При этом на выходе тех элементов ИЛИ, связь которых с данной чис­ловой линейкой не разрушена, появляется 1. Это значит, что в данном разряде выбранного слова (или числовой ли­нейки) записана 1. На выходах тех разрядов, связь кото­рых с выбранной числовой линейкой выжжена, останутся нули. Закон программирования может быть и инверсным.

Таким образом, ПЗУ – это функциональный узел с n входами и m выходами, хранящий 2n m -разрядных слов, которые при работе цифрового устройства не изменяются. При подаче на вход ПЗУ адреса на выходе появляется со­ответствующее ему слово. При логическом проектировании постоянное ЗУ рассматривают или как память с фиксиро­ванным набором слов, или как кодовый преобразователь.

На схемах (см. рис. 1.47) ПЗУ обозначается как ROM. Постоян­ные запоминающие устройства обычно имеют вход разре­шения Е. При активном уровне на входе Е ПЗУ выполняет свои функции. При отсутствии разрешения выходы микро­схемы неактивны. Разрешающих входов может быть не­сколько, тогда микросхема отпирается по совпадению сиг­налов на этих входах. В ПЗУ сигнал Е часто называют чте­нием ЧТ (read), выбором микросхемы ВМ, выбором кристалла ВК (chip select – CS).

Микросхемы ПЗУ приспособлены для наращивания. Чтобы увеличить число разрядов хранимых слов, все входы микросхем включают параллельно (рис. 1.49, а ), а с увеличившегося суммарного числа выходов снимается выход­ное слово соответственно увеличенной разрядности.

Для уве­личения числа самих хранимых слов (рис. 1.49, б ) адресные входы микросхем включают параллельно и рассматривают как младшие разряды нового, расширенного адреса. Добав­ленные старшие разряды нового адреса поступают на де­кодер, который по входам Е выбирает одну из микросхем. При малом числе микросхем дешифрацию старших разря­дов можно делать на конъюнкции разрешающих входов са­мих ПЗУ. Выходы одноименных разрядов при увеличении числа хранимых слов должны объединяться с помощью функций ИЛИ. Специальных элементов ИЛИ не требуется, если выходы микросхем ПЗУ выполнены или по схеме от­крытого коллектора для объединения методом монтажного ИЛИ, или по схеме буфера с тремя состояниями, допуска­ющего непосредственное физическое объединение выходов.

Выходы микросхем ПЗУ обычно инверсные, инверсным часто бывает и вход Е. Наращивание ПЗУ может потребовать введения буферных усилителей для увеличе­ния нагрузочной способности некоторых источников сигна­лов, учета вносимых этими усилителями дополнительных задержек, но в общем при сравнительно небольших объемах памяти, что типично для многих ЦУ (например устройств автоматики), наращива­ние ПЗУ обычно не порождает принципиальных проблем.

Рис. 1.49. Увеличение числа разрядов хранимых слов при параллельном включении входов микросхем и увеличении числа хранимых слов при включении параллельно адресных входов микросхем

План земельного участка в законодательстве именуется СПОЗУ – схема планировочной организации земельного участка . ПЗУ (СПОЗУ) – документ, который вместе с заявлением о получении разрешения на строительство необходимо предоставить собственнику или арендатору этого участка для того, чтобы начать проектирование и проводить дальнейшие строительные работы. ПЗУ предоставляется в настоящее время вместо генерального плана застройки земельного участка, который требовался ранее (http://ppt.ru/kodeks.phtml?kodeks=5&paper=51).

Требования к составлению ПЗУ

Выполняется ПЗУ по данным топографической съемки, где указываются расположение границ земельного участка и основные данные по проектируемым и существующим на момент составления плана объекты. Кроме того, на схеме в обязательном порядке обозначаются следующее:

• Проектируемые объекты
• Существующие капитальные постройки
• Подъезды и подходы к объектам
• Подземные коммуникации

Проектируемые объекты привязываются к уже существующим на участке с соблюдением расстояний, предусмотренных требованиями санитарных и противопожарных норм. Схема не должна входить в противоречие с общим градостроительным планом участка и прочими регулирующими документами.

На основании положений, определенных в Постановлении правительства РФ № 87 от 16.02.2008 г. (http://base.consultant.ru/cons/cgi/online.cgi?req=doc;base=LAW раздел 2 в ред. от 13.04.2010 г.) СПОЗУ должна включать набор обязательных элементов:

• номер ГПЗУ,
• площадь участка,
• расчет процента застройки,
• показатели строения – состав, общая площадь, этажность и высота,
• характеристика ограждения участка,
• и условные обозначения, использованные при составлении схемы (легенда).

План земельного участка для индивидуального жилищного строительства состоит из графической и текстовой частей. В текстовой части отражается следующая информация:

• Описание участка, предназначенного для строительства и показатели капитальных объектов;
• обоснование санитарных разрывов в привязке к границам земельного участка и существующим и планируемым объектам;
• соответствие плана организации участка существующим регламентам или заменяющим их документам об его использовании;
• примерный порядок благоустройства.

Графическая часть ПЗУ выполняется в произвольной форме, без учета особых чертежных требований, но в обязательном порядке отображает:

• размещение существующих объектов и предполагаемых к строительству объектов с проходами и подъездами;
• зоны действия публичных сервитутов, если таковые имеются;
• расположение санитарных разрывов и охранных зон;
• зоны участка и прилегающей территории, подлежащие благоустройству.

При составлении плана земельного участка в графической части не требуется указывать следующие элементы – ливневые стоки, разрезы строения, схемы фасадов и въезды на участок. Следует учитывать, что при предоставлении ПЗУ могут возникнуть дополнительные требования к нему, зависящие от местных ситуационных обстоятельств. Однако никакие дополнительные требования не могут выходить за рамки, определенные в ч. 5-11, ст. 51 Градостроительного

ПЗУ

Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) - энергонезависимая память, используется для хранения неизменяемых данных. Часто используется английский термин ROM (Read-Only Memory).

Существует несколько разновидностей ПЗУ, предназначенных для различных целей:

ROM - (англ. Read-Only Memory, постоянное запоминающее устройство), масочное ПЗУ, изготавливается фабричным методом. В дальнейшем нет возможности изменить записанные данные.

PROM - (англ. Programmable Read-Only Memory, программируемое ПЗУ (ППЗУ)) - ПЗУ, однократно "прошиваемое" пользователем.

EPROM - (англ. Erasable Programmable Read-Only Memory, перепрограммируемое ПЗУ (ПППЗУ)).

Например, содержимое микросхемы К537РФ1 стиралось при помощи ультрафиолетовой лампы. Для прохождения ультрафиолетовых лучей к кристаллу в корпусе микросхемы было предусмотрено окошко с кварцевым стеклом.

EEPROM - (англ. Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ). Память такого типа может стираться и заполняться данными несколько десятков тысяч раз. Используеся в твердотельных накопителях. Одной из разновидностей EEPROM является флэш-память (англ. Flash Memory).

К ПЗУ можно также отнести:

• · CD-ROM
• · Перфокарты и перфоленты

Внешняя память - это память, предназначенная для длительного хранения программ и данных. Целостность содержимого ВЗУ не зависит от того, включен или выключен компьютер.

НГМД - накопители на гибких магнитных дисках

• - Предназначены для хранения небольших объемов информации
• - Следует оберегать от сильных магнитных полей и нагревания
• - Это носители произвольного (прямого) доступа к информации
• - Используется для переноса данных с одного компьютера на другой
• - Для работы с информацией носитель должен быть отформатирован
• - Скорость обмена информации зависит от скорости вращения дисковода
• - Объем ГМД сравнительно небольшой (3.5 дюйма - 1.44 Мбайта)

Диски называются гибкими потому, что их рабочая поверхность изготовлена из эластичного материала и помещена в твердый защитный конверт. Для доступа к магнитной поверхности диска в защитном конверте имеется закрытое шторкой окно. Поверхность диска покрыта специальным магнитным слоем (1-намагниченный участок, 0-не намагниченный). Информация записывается с двух сторон диска на дорожки в виде концентрических окружностей. Дорожки разбиваются на секторы. Современные дискеты имеют программную разметку. На каждом секторе выделяется участок для его идентификации, а на остальное место записываются данные. Дисковод снабжен двумя двигателями. Один обеспечивает вращение внутри защитного конверта. Второй перемещает головку записи/чтения вдоль радиуса поверхности диска. В защитном конверте имеется специальное окно защиты записи. С помощью бегунка это окно открывают и дискета становится доступна только на чтение, а на запись доступна не будет. Это предохраняет информацию на диске от изменения и удалении.

НЖМД - накопители на жестких магнитных дисках

• - Предназначена для хранения той информации, которая наиболее часто используется в работе - программ операционной системы, компиляторов, сервисных программ, прикладных программ пользователя, текстовых документов, файлов базы данных
• - Следует оберегать от ударов при установке и резких перемещений в пространстве
• - Это носители с произвольным доступом информации
• - Для хранения информации разбивается на дорожки и секторы
• - Скорость обмена информации значительно выше ГД
• - Объем ЖД измеряется от Мбайт до сотен Гбайт

НЖМД встроены в дисковод и являются несъемными. Они предоставляют собой несколько алюминиевых дисков с магнитным покрытием, заключенных в единый корпус с электродвигателем, магнитными головками и устройством позиционирования. К магнитной поверхности диска подводится записывающая головка, которая перемещается по радиусу диска с внешней стороны к центру. В каждом фиксированном положении головка взаимодействует с круговой дорожкой. На эти концентрические дорожки и производится запись двоичной информации. Благодаря хорошей защищенности от пыли, влаги и других внешних воздействий достигают высокой плотности записи, в отличии от дискет.

Для обращения к НЖМД используется имя, задаваемое прописной латинской буквой, начиная с C:, но с помощью специальной системной программы можно разбить свой физический ЖД на несколько логических дисков, каждому из которых дается соответствующее имя.

Накопители на жестких магнитных дисках часто называются винчестер по первой модели ЖД, имевшего 30 дорожек по 30 секторов, что совпало с калибром охотничьего ружья.

ПЗУ

противоэпидемическое управление

Словарь:

ПЗУ

пылезащитное устройство

Словарь: С. Фадеев. Словарь сокращений современного русского языка. - С.-Пб.: Политехника, 1997. - 527 с.

ПЗУ

пиротехническое зажигательное устройство

техн.

Словарь: Словарь сокращений и аббревиатур армии и спецслужб. Сост. А. А. Щелоков. - М.: ООО «Издательство АСТ», ЗАО «Издательский дом Гелеос», 2003. - 318 с.

ПЗУ

постоянное запоминающее устройство

комп.

Словари: Словарь сокращений и аббревиатур армии и спецслужб. Сост. А. А. Щелоков. - М.: ООО «Издательство АСТ», ЗАО «Издательский дом Гелеос», 2003. - 318 с., С. Фадеев. Словарь сокращений современного русского языка. - С.-Пб.: Политехника, 1997. - 527 с.

ПЗУ

пускозарядное устройство;
пускозаряжающая установка;
пускозаряжающее устройство

Словари: Словарь сокращений и аббревиатур армии и спецслужб. Сост. А. А. Щелоков. - М.: ООО «Издательство АСТ», ЗАО «Издательский дом Гелеос», 2003. - 318 с., С. Фадеев. Словарь сокращений современного русского языка. - С.-Пб.: Политехника, 1997. - 527 с.

пароэнергетическая установка

морск., энерг.

на корабле

ПЗУ

переносное заземляющее устройство

в маркировке

ПЗУ

патрон защитный универсальный

безопасность

ПЗУ

планировка земельного участка

ПЗУ

пробозаборное устройство

Источник: http://www.cntd.ru/assets/files/upload/201212/%D0%A0%D0%9C%D0%93%20109-2011.pdf)

ПЗУ

птицезащитное устройство

в маркировке

ПЗУ

производственный заготовительный участок

произв.

ПЗУ

переговорно-замочное устройство

ПЗУ

придомовый земельный участок

Источник: http://www.kyrgyzinfo.kg/?art=1126262696

Словарь сокращений и аббревиатур . Академик . 2015 .

Смотреть что такое "ПЗУ" в других словарях:

пзу - [пэзэу], неизм.; ср. [прописными буквами] Буквенное сокращение: постоянное запоминающее устройство (в компьютере: устройство для постоянного хранения основных данных). Объём, ёмкость ПЗУ. ПЗУ в сколько то мегабайт … Энциклопедический словарь

ПЗУ - (сокр. от постоянное запоминающее устройство), ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ (микросхемы), служащие постоянным хранилищем ДАННЫХ (информации), необходимых КОМПЬЮТЕРУ. Содержимое микросхем обычного ПЗУ задается производителем и не может изменяться… … Научно-технический энциклопедический словарь

ПЗУ - Постоянное Запоминающее Устройство ПЗУ Пуско Зарядное устройство … Википедия

пзу - сущ., кол во синонимов: 1 устройство (117) Словарь синонимов ASIS. В.Н. Тришин. 2013 … Словарь синонимов

ПЗУ - [пэзэ у], нескл., ср. (сокр.: программное запоминающее устройство) … Русский орфографический словарь

ПЗУ - абревіатура Партія зелених України незмінювана словникова одиниця … Орфографічний словник української мови

ПЗУ - Постоянно запоминающее устройство. Произносится [пэ зэ у] … Словарь трудностей произношения и ударения в современном русском языке

ПЗУ - (пэзэу/) неизм. ср. Буквенное сокращение: постоянное запоминающее устройство (в компьютере: устройство для постоянного хранения основных данных) Объём, ёмкость ПЗУ. ПЗУ в сколько то мегабайт … Словарь многих выражений

Пзу - см. постоянное запоминающее устройство … Краткий толковый словарь по полиграфии

ПЗУ - компьют. постоянное запоминающее устройство … Универсальный дополнительный практический толковый словарь И. Мостицкого

Книги

• , В. К. Конопелько, В. А. Липницкий. В настоящей книге изложены основы теории норм синдромов - теории инвариантов циклической и циклотомической групп автоморфизмов классических помехоустойчивых кодов. Обнаружены глубокие… Купить за 538 грн (только Украина)
• Теория норм синдромов и перестановочное декодирование помехоустойчивых кодов , Конопелько В.К.. В настоящей книге изложены основы теории норм синдромов - теории инвариантов циклической и циклотомической групп автоморфизмов классических помехоустойчивых кодов. Обнаружены глубокие…